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深能級瞬態光譜檢測（DLTS）

簡介：

深能級瞬態光譜檢測（DLTS）是一種強大的技術，常用于研究半導體中缺陷的濃度和載流子結合能。該技術涉及在不同溫度下測量電容瞬變。首先，通過將半導體結反向偏置，大部分移動電荷載流子會被耗盡。隨后，通過正電壓脈沖將電壓短暫置零，空陷阱被填充。在脈沖結束之后，半導體結會再次處于反向偏置偏置狀態。此時電荷的移動就會引起瞬態電容的變化。

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應用說明測量策略產品優勢相關產品

應用說明

相關產品：MFIA，MF-IA，HF2TA，HF2LI

應用說明

DLTS是一種強大的技術，常用于研究半導體中缺陷的濃度和載流子結合能。該技術涉及在不同溫度下測量電容瞬變。首先，通過將半導體結反向偏置，大部分移動電荷載流子會被耗盡。隨后，通過正電壓脈沖將電壓短暫置零，空陷阱被填充。在脈沖結束之后，半導體結會再次處于反向偏置偏置狀態。此時電荷的移動就會引起瞬態電容的變化。

測量策略

您可以使用MFIA阻抗分析儀在長時間間隔內以高分辨率測量完整的電容瞬變過程。如圖2所示，使用LabOne^?的繪圖儀模塊，您可以輕松完成DLTS測量的設置。

MFIA可以在10 μs（1 MHz下）的時間尺度上測量從1 mHz到5 MHz（不僅在1 MHz）范圍內的電容瞬變。如圖3所示，LabOne^?的數據采集（DAQ）模塊可以通過外部脈沖發生器或通過內部產生的偏置脈沖來觸發。借助DAQ模塊和數據緩沖區，您可以在高時間分辨率和長時間窗口（包括觸發事件之前的穩定狀態）下可靠地捕獲整個瞬態。

MFIA包含的雙通道鎖定放大器可用于同時捕獲電流瞬變和電容瞬變。與電容測量相比。與傳統的電容測量相比，DLTS可以在更短的時間內測量電容的變化，但是無法精確測量電容的絕對值。